存儲(chǔ)器 DS1230Y-70 NVSRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/9/26
DS1230Y-70介紹：
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲(chǔ)器 IC 256Kb （32K x 8） 并聯(lián) 70ns 28-EDIP
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量 256Kb （32K x 8）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 70ns
訪問(wèn)時(shí)間 70ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝 28-EDIP
基本零件編號(hào) DS1230Y
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