晶體管 IRFR9024N MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/10/11
IRFR9024N介紹：
描述 MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 55V 11A（Tc） 38W（Tc） D-Pak
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 175 毫歐 @ 6.6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 38W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
該公司在全球亞、歐、美三大洲5個(gè)國(guó)家擁有10個(gè)制造工廠，在九個(gè)國(guó)家設(shè)有16個(gè)研發(fā)中心，1998年員工約25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
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