存儲(chǔ)器 CYATB108LD-ZS45XI NVSRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/6/12
CYATB108LD-ZS45XI介紹：
描述 IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲(chǔ)器 IC 8Mb （1M x 8） 并聯(lián) 45ns 44-TSOP II
類(lèi)別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類(lèi)型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量 8Mb （1M x 8）
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 45ns
訪問(wèn)時(shí)間 45ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II
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存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等。
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