FET IRFD310 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/1
IRFD310 介紹：
描述 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 通孔 N 溝道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 350mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.6 歐姆 @ 210mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）
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MOSFET并非模擬電路設計工程師的首選，因為模擬電路設計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。
