晶體管 MRFE6P3300HR3 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/8
MRFE6P3300HR3介紹：
描述 FET RF 66V 863MHZ NI-860C3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 射頻 Mosfet LDMOS 32V 1.6A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 最後搶購(gòu)
晶體管類(lèi)型 LDMOS
頻率 857MHz ~ 863MHz
增益 20.4dB
電壓 - 測(cè)試 32V
額定電流 -
噪聲系數(shù) -
電流 - 測(cè)試 1.6A
功率 - 輸出 270W
電壓 - 額定 66V
封裝/外殼 NI-860C3
供應(yīng)商器件封裝 NI-860C3
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
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