DRAM MT41K256M16TW-107 IT:P存儲器
發(fā)布時間：2018/4/11
MT41K256M16TW-107 IT:P介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲容量 4Gb （256M x 16）
時鐘頻率 933MHz
寫周期時間 - 字，頁 -
訪問時間 20ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 -40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA（8x14）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
