MOSFET單 DMP4025SFGQ-13 晶體管FET
發(fā)布時間：2018/4/11
DMP4025SFGQ-13介紹；
描述 MOSFET P-CH 40V 7.2A POWERDI3333
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 40V 7.2A（Ta） 810mW（Ta） PowerDI3333-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 汽車級，AEC-Q101
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1643pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 810mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 3A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerDI3333-8
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應(yīng)晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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