晶體管 PSMN0R9-25YLC MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/25
PSMN0R9-25YLC介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 0.99 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6775pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 272W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼 SC-100，SOT-669
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