晶體管 IRF7832TRPBF MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/8/30
IRF7832TRPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.32V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4310pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 155°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。
英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈。在研發(fā)方面，英飛凌在上海、西安建立了研發(fā)中心，利用國內的人才資源，參與全球的重點項目研究;在無錫的后道生產工廠，為中國及全球其他市場生產先進的芯片產品;2011年，英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開業(yè)，并在亦莊開發(fā)區(qū)建立了專注于面向風電高鐵等行業(yè)的IGBT模塊的制造。?
