晶體管 FDC2612 MOSFET
發(fā)布時間：2018/7/4
FDC2612介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 30 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 725 毫歐 @ 1.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 234pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術的進步，現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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