晶體管 IRF3575DTRPBF MOSFET - 陣列
發(fā)布時間：2018/6/8
IRF3575DTRPBF介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 2（1 年）
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設計
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 標準
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 303A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） -
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 -
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-PowerWFQFN
供應商器件封裝 32-PQFN（6x6）
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晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。最終通過計算機轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領域包括電視、廣播和報紙。
