晶體管 STW77N65M5 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/5/31
STW77N65M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO-247
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 46 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 650V 69A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 69A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 200nC @ 10V
Vgs（最大值） 25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 9800pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 34.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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MOSFET在數(shù)位電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）訊號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。
