晶體管P36NF06FP FET
發(fā)布時(shí)間：2018/4/13
P36NF06FP介紹：
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET?? II
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 31nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 690pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 25W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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晶體管主要分為兩大類(lèi)：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。
晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
