存儲(chǔ)器MT40A4G4FSE-083E:A DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/12
MT40A4G4FSE-083E:A介紹：
類(lèi)別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類(lèi)型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR4
存儲(chǔ)容量 16Gb （4G x 4）
時(shí)鐘頻率 1.2GHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
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DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡(jiǎn)單高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè) 晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須被周期性的 刷新（預(yù)充電），這也是DRAM的一大特點(diǎn)。而且電容的充放電需要一個(gè)過(guò)程，刷新頻率不可能無(wú)限提升（頻障），這就導(dǎo)致DRAM的頻率很容易達(dá)到上限，即便有先進(jìn)工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進(jìn)步，以及人們對(duì) 超頻的一種意愿，這些頻障也在慢慢解決。
