存儲(chǔ)器 M29W640GB70N3E閃存
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
M29W640GB70N3E介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤(pán) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量 64Mb （8M x 8，4M x 16）
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 70ns
訪問(wèn)時(shí)間 70ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 48-TSOP
基本零件編號(hào) M29W640
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。
