NAND S34ML02G100TFI000 存儲(chǔ)器
發(fā)布時(shí)間：2018/4/9
S34ML02G100TFI000介紹；
描述 IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）
詳細(xì)描述 FLASH - NAND 存儲(chǔ)器 IC 2Gb （256M x 8） 并聯(lián) 48-TSOP I
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 ML-1
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NAND
存儲(chǔ)容量 2Gb （256M x 8）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 25ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 48-TSOP I
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由于電容不可能長(zhǎng)期保持電荷不變，必須定時(shí)對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個(gè)過(guò)程稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請(qǐng)求，該請(qǐng)求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請(qǐng)求得到響應(yīng)時(shí)，DMA控制器送出到刷新地址信號(hào)，對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。